低溫plasma設(shè)備產(chǎn)生的離子注入是靠汽體電弧放電產(chǎn)生的電離汽體，產(chǎn)生低溫汽體離子注入方式 許多，常見方式 有直接電弧放電、射頻電弧放電、徽波電弧放電等。低溫plasma設(shè)備中的離子注入改善材料表面性能的機理可粗略認為:在低溫離子注入反應室內(nèi)，低壓工作汽體中的電子在電場加速器作用下，在電子接觸及派生離子、原子的接觸使汽體電離，關(guān)鍵在于產(chǎn)生低溫離子注入。 

       PTFE高頻徽波雙層pcb電路板的孔化生產(chǎn)制造中，較大 的關(guān)鍵點是化學沉銅前的活化前處置，也是重要的這一步。pcb電路板制造業(yè)，基本依托多種多樣的化學處置溶液，對需要進行表面鍍金屬的部位進行活化改性處置，然后才能用于低溫電路板生產(chǎn)制造設(shè)備離子注入技術(shù)。但低溫離子注入改性是一一干法工藝，不需要進行廢液處置，而且作用時間短，效率高，改性只在表面層進行，不影響基體的固有性質(zhì)。plasma設(shè)備技術(shù)在高分子材料上的應用有如下優(yōu)點:

①屬于干式工藝；節(jié)能無污染，滿足節(jié)能環(huán)保的需要；
②時間短,效率高;
③對所處置的材料無嚴格要求，具有普通適應性;
④可處置形狀較復雜的材料，材科表面處理均勻性好;
⑤反應環(huán)境溫度低;
⑥對材料表面的作用僅涉及幾到幾百納米，材科表面性能改善的同時，基體性能不受影響。
       這6點就是plasma設(shè)備在高分子材料上的應用。