等離子體發生器清洗的硅油光致發光性能影響：
        顯視和發光技術的發展促使應用于光源的白光發射材料得以密切關注。近年來，大家發現非晶Si:C:0:H材料的光致發光PL)可以覆蓋350~800nm的光譜范圍，因此其變成希望極大的白光發射候選材料。
        人們探索了各種非晶Si，以獲得可能使用的白光發射材料:C:0:H材料的光發光性能，如反應直流磁控濺射制備的非晶Si:C:O:氫化非晶碳化硅6由H膜、熱蒸發沉積和熔化涂層技術、0、膜、反應直流磁控濺射和等離子體增強的化學氣相沉積制成-SiC:H)摻硅金剛石碳膜由等離子體增強的化學氣相沉積制成。

       在制備這些薄膜時，通常需要使用較高的沉積溫度或較高的后處理溫度，如熱蒸發沉積a-SiC,O,膜的沉積溫度高達800℃，熔化涂層技術制備a-SiC,O,燒結溫度高達1300℃。
       當將發光材料應用于光電集成技術時，這么高溫度可能造成其它的材料和器件的損傷，因此發展低溫下制備非晶Si:C:0:H光發射材料的方法就變得非常重要。
        硅油是一種含Si、C、0、H組分的高分子材料。由于其穩定的化學性能，硅油常常作為發光材料的封裝材料而在發光器件中得到應用。
       近年來對非晶Si:C:O:H光發射材料的研究表明材料的光致發光性能與薄膜中的鍵結構、缺陷、納米顆粒和團簇有關。硅油的鍵結構可以直接用Ar等離子體處理而改變，因此，可以采用等離子體發生器設備處理硅油來改變硅油結構或制備非晶Si:C:O:H薄膜，得以具有光致發光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。
       在等離子體中，放電產生處理硅油所需的活性基團，可以控制硅油的離子能量，結合等離子體發生器反應和離子轟擊效應，從而改變硅油的結構，具有光發光特性的改性硅油或非晶體:C:O:H薄膜。