IP膠經CRF等離子火焰處理機DIW接觸角有所下降：
       IP膠水被廣泛應用于0.25μm光掩模設計原則及以下工藝其中一種光刻膠，其中之一IP3600是一種常用的00.25DR的Hline光掩模的光刻膠。甚至在1300。nm相移掩模技術的二次掩模加工仍將使用IP膠。

      等離子火焰處理機作為半導體制造和包裝領域常用的預清洗方法，可以物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化層、灰粒、有機污染物等)。).采用等離子火焰處理機的表面預處理方法IP對于橡膠表面，為了提高橡膠表面的粗糙度，從而提高去離子水潤濕膠水表面的均勻性，避免膠水表面的粗糙度IP膠親水性問題帶來的顯影缺陷。在等離子火焰處理表面處理時，由于等離子體的轟擊會引起轟擊IP膠水厚度的損失。為了方便后續顯影時間和顯影均勻性的控制，必須考慮等離子體轟擊引起的等離子體轟擊。IP膠水厚度損失。
       等離子體清洗機表面處理后，由于等離子體轟炸的損失，其掩模板IP處理前564膠厚.4nm，降至處理后的561.2nm,厚度損失約3.2nm,遠在IP膠水顯影前可控厚度偏差(565)+10)nm.這表明，盡管表面轟擊效應會導致表面轟擊效應IP膠水的厚度有一定的損失，但時間短、厚度損失小，膠水厚度有一定的損失。一般來說，這種等離子體表面處理是正確的IP膠的厚度不會有明顯影響。
       IP膠經等離子火焰處理機處理后，其對DIW接觸角顯著降低，即靜態接觸角從未處理過的77°降至45°,前進接觸角從未處理過88°降至51°,也使后退接觸角從未處理過33°降到10°下面。這表明，由于等離子體對應IP膠表面的轟擊增加了表面的微粗糙度，進而增加了表面的微粗糙度IP膠水的吸附和浸潤能力提高了膠水的吸附和浸潤能力IP膠表面的親水性。
       在顯影前的水沖洗步驟中，可以清楚地看到等離子火焰處理上可以清楚地看到表面水滴變小，密集均勻地分布在膠表面，這也表明其親水性和顯影均勻性得到了顯著提高。