plasma等離子處理技術是利用氣體輝光放電現象對材料表面進行處理的一-種新技術。氣體輝光放電是相對于氣體電暈放電、電弧放電而言的一種放電狀態, 向處于真空中的兩個電極通人- -定量的氣體一通 常所使用的氣體是氬撖氧氣的混合氣體,當外加直流電壓超過其起始放電電壓時,便產生輝光放電。

       氣體輝光放電時,從陰極發出的電子經過電場.加速，獲得能量撞擊氣體分子,使氣體分子激發,在等離子區產生了大量的正離子(等離子區任何位置的電子濃度和正離子濃度相等,所以稱等離子區),這些正離子在電場作用下加速向陰極移動,轟擊靶材和薄膜表面。Ar的作用是維持正常的輝光放電,同時氬離子(正離子)也不斷轟擊薄膜表面,產生級聯碰撞,將油污、灰塵等污物分子濺射出去,清潔薄膜表面。由于氬離子的轟擊而從靶材上濺射出的粒子稱為靶材粒子,靶材粒子和氬離子對薄膜的表面的轟擊可以起到“剝蝕”作用,使薄膜表面“糙化”。氧氣在輝光放電時形成氧自由基，經加速能量能達到1keV 左右，而一般有機物的化學鍵能通常只有大約10eV左右,氧自由基能夠輕易破壞原來的化學鍵,和薄膜中的甲基反應，生成羥基羧基、羰基等極性基團，提高了薄膜的表面極性。

         薄膜基材 plasma等離子處理能有效提高薄膜的表面性能，提高表面潤濕張力并延緩其衰減，明顯提高薄膜鍍鋁后的鋁層附著牢度。并且 plasma等離子處理沒有電暈處理中存在的背面電暈影響熱封性能的情況，而且由于薄膜受熱少，薄膜的物理機械性能在處理中沒有改變。
        氣體對材料的滲透機理,從微觀來看,是分子的擴散的過程。即氣體分子在高壓側的壓力作用下,溶解于材料中,然后,由材料的高濃度區向低濃度區進行擴散,最后,在低壓側- -面解吸。因而， plasma等離子處理中等離子體結合氣體對材料的滲透性就取決于該氣體在這種材料中的擴散能力與溶解能力。