C4F對(duì)封裝測(cè)試和pcb電路板切合等離子蝕刻機(jī)的應(yīng)用：
一、等離子蝕刻機(jī)-封裝測(cè)試應(yīng)用領(lǐng)域
       在封裝測(cè)試行業(yè)領(lǐng)域中光刻機(jī)運(yùn)用C4F混合氣體開(kāi)展單晶硅片的線路蝕刻，等離子蝕刻機(jī)-運(yùn)用C4F開(kāi)展氮化硅蝕刻及光刻膠清除。等離子清洗機(jī)運(yùn)用純C4F混合氣體或C4F與氧氣相互配合方式和方法可對(duì)封裝測(cè)試中的氮化硅開(kāi)展微米級(jí)的蝕刻，運(yùn)用C4F與氧氣或氫氣相互配合方式和方法可對(duì)微米級(jí)的光刻膠開(kāi)展清除。

二、等離子蝕刻機(jī)-pcb電路板生產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域
       等離子蝕刻機(jī)-的蝕刻在pcb電路板生產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域是十分早的，不論是硬質(zhì)的pcb電路板或是柔性電路板在生產(chǎn)過(guò)程里都會(huì)開(kāi)展孔壁去膠，傳統(tǒng)技術(shù)是運(yùn)用化學(xué)工業(yè)藥物清理方式和方法，但伴隨著pcb電路板行業(yè)領(lǐng)域的快速發(fā)展，板子變得越來(lái)越小，孔也變得越來(lái)越小，化學(xué)工業(yè)藥物做孔內(nèi)去膠的難易度越來(lái)越大，且孔越小咬蝕量也無(wú)法操縱，還可能會(huì)引起化學(xué)工業(yè)殘存，影響到后段加工工藝。而等離子清洗機(jī)的蝕刻是干式的，并不會(huì)有化學(xué)工業(yè)殘存，而且等離子的擴(kuò)散性十分強(qiáng)，所形成的蝕刻性氣相等離子能夠?qū)ξ⒚准?jí)的孔內(nèi)開(kāi)展合理有效的蝕刻，咬蝕量還可以根據(jù)加工工藝技術(shù)參數(shù)的調(diào)節(jié)獲得更好的操縱。
三、C4F運(yùn)用的注意事項(xiàng)
（1）C4F混合氣體雖然是無(wú)毒性不燃?xì)怏w，但濃度高時(shí)會(huì)引起窒息和麻痹，因此運(yùn)用時(shí)應(yīng)注意氣路密封，建議運(yùn)用防爆管路。
（2）為保證加工工藝穩(wěn)定，需運(yùn)用專用型流量控制器。
（3）C4F參與反應(yīng)時(shí)會(huì)形成氫氟酸，排放的廢氣為有害氣體，需做處理后排放。
（4）運(yùn)用C4F的等離子蝕刻建議配防腐型的干式真空泵。